IMBG40R011M2HXTMA1
2 477.20 - 2 749.93 р.
Ожидаемое время поставки на склад:
по запросу
Описание
Купить Транзисторы на основе карбида кремния (SiC) IMBG40R011M2HXTMA1 оптом и в розницу по лучшим ценам. Большой выбор качественных электронных компонентов от ведущих производителей в компании База Электроники. Быстрая доставка по всей России и странам СНГ.
Транзистор полевой MOSFET 400V 133A 429W 5.6V 14.4mOhm N-канальный TO-263-7
Результаты поиска по позиции
| Склад | Производитель | Отгрузка, дней | Наличие, шт. | Цена, руб. | Обновлен | Мин. партия | Кол-во | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 2 | INF | по запросу | 999999999по запросу | 999999999по запросу | 04.05.2026 | 1 | ||
| 2448 | INFIN | 18-24 | 10 | 2749,932 749.93 | 18.09.2026 | 3 | В корзине | |
| 2449 | INFIN | 38-45 | 3 | 2477,22 477.20 | 18.09.2026 | 3 | В корзине | |
| 91 | 0 | по запросу | 999999999по запросу | 999999999по запросу | 18.09.2026 | 1 |